目录
电路与系统设计
一种基于0.13μm SiGe BiCMOS工艺的Ka波段宽带有源移相器袁刚;郭宽田;周小川;叶力群;范超;田泽;耿莉;桂小琰;615-620
基于特定相移匹配的连续类双频Doherty放大器徐拓;孔娃;鲍煦;夏景;621-625+631
一种多旋转坐标系下的死区谐波电压补偿方法裴静;626-631
基于GaAs HBT的J类射频功率放大器黄继伟;黄思巍;632-636+642
基于0.15μm GaAs pHEMT工艺的X波段自混频三倍频器何勇畅;毛小庆;陈志巍;喻青;曹军;高海军;637-642
一种用于心电信号检测的低噪声斩波放大器张琦;643-648
一种基于LTCC工艺的兆赫兹变压器设计冉建桥;尹华;张小林;649-652
采用采样开关线性增强技术的12位100MS/s SAR ADC戴永红;徐代果;蒲杰;徐世六;张建平;张俊安;王健安;653-658模型与算法
MOS器件开启电压值的贝叶斯统计推断严利人;刘道广;刘志弘;梁仁荣;659-663
IGBT老化状态下基于BAS-SVM模型的结温预测方法刘伯颖;胡佳程;李玲玲;李志刚;664-668+682
一种时间交织ADC采样时间误差校正方法曹宇;苗澎;黎飞;王欢;669-674动态与综述
先进工艺下的版图邻近效应研究进展王英菲;张青淳;苏晓菁;董立松;陈睿;张利斌;盖天洋;粟雅娟;韦亚一;叶甜春;675-682半导体器件与工艺
新型独立三栅FinFET单粒子瞬态效应TCAD分析韩燕燕;孙亚宾;李小进;石艳玲;683-687
一种具有鳍状阳极的垂直GaN功率二极管欧阳东法;杨超;孙涛;邓思宇;魏杰;张波;罗小蓉;688-693
基于PSO-SVM模型的Cu CMP抛光液组分优化何平;罗萌;韩欣玉;郭文艺;潘国峰;694-698
底部填充物对CSP-LED芯片抗跌落性能研究傅志红;田有锵;武宁杰;郭鹏程;王洪;699-703
一种带P型埋层的4H-SiC PiN二极管王帅;张有润;罗佳敏;罗茂久;陈航;704-708
GaN高压LED在极小电流与极低温度下的光电特性田媛;陈雷雷;赵琳娜;陈珍海;闫大为;顾晓峰;709-714
牵引用3300V平面栅IGBT栅极台面结构研究肖强;梁利晓;朱利恒;覃荣震;罗海辉;715-719+725
一种集成RC吸收器的低EMI分离栅VDMOS王玲;成建兵;陈明;张才荣;邓志豪;720-725
栅极电阻对GaN MOSFET瞬态特性的影响研究蒋丽华;罗霞;廖勇;罗海军;龙兴明;726-731产品与可靠性
针对更精确电迁移预测应用的热耦合模型建模杨双;石新新;伍宏;粟雅娟;董立松;陈睿;张利斌;苏晓菁;陈颖;盖天洋;郭成;屈通;韦亚一;732-737
LDD注入工艺对40nm中压NMOS器件HCI-GIDL效应的优化闫翼辰;蔡小五;魏兰英;蔡巧明;曹杨;杜林;738-742
多失效机理下基于FIDES的MEMS失效率预计研究高成;陈炳印;黄姣英;张改丽;743-749
CQFP封装引线成形形状及其力学性能研究易文双;叶达;张峪铭;750-754
埋栅型SIT和VDMOS的单粒子烧毁效应对比研究蔡浩;张霞;王斌;谭开洲;755-760
0.25μm栅长GaAs pHEMT栅极高温及关态应力退化机理麻仕豪;化宁;张亮;王茂森;王佳;761-765
1.2kV碳化硅MOSFET瞬态可靠性研究钟炜;张有润;李坤林;杨啸;陈航;766-770
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