目录
电路与系统设计
用于14位1.25 GS/s ADC的跨导运算放大器魏娟;黄正波;雷郎成;苏晨;299-305
一种低压低功耗高精度Σ-Δ调制器宋涛;张钊锋;梅年松;306-311
一种16位1 GHz四开关电流舵DAC张海磊;居水荣;戈益坚;谢亚伟;312-319
一种12位1 MS/s数字自校准SAR ADC徐亮;代志双;谢亮;金湘亮;320-325
一种12位2 GS/s BiCMOS采样保持电路孙伟;王永禄;杨鑫;何基;326-330
一种前馈架构的Σ-Δ调制器设计陈笑;王志功;黎飞;331-335
一种带补偿调节机制的低失配电荷泵于越;徐卫林;336-340+345
一种带曲率补偿的电流模式基准电压源王娜;吴唐政;谢亮;金湘亮;341-345
一种光电探测器与信号处理器的单片集成器件杨鑫;谭开洲;黄绍春;李荣强;346-350+355
一种有刷直流电机驱动器的设计马朝骥;冯雯雯;庞佑兵;吕果;351-355
24～30 GHz高精度低附加相移数控衰减器陈隆章;袁波;谢卓恒;王强;356-359+365
一种工艺误差校准的低功耗温度传感器张祎;何洪楷;赵野;杨林;360-365动态综述
医用微流控芯片研究进展齐云;李晖;米佳;胡少勤;赖凡;张玉蕾;366-372模型与算法
电容式微波功率传感器的MEMS悬臂梁力学模型张焕卿;李龙飞;白雪婧;王德波;373-377
基于导数相乘的TIADC时间失配误差校准算法李雪原;孙蕊;陈红梅;邓红辉;378-384
用于离子注入机剂量控制器的质心修正算法唐绍根;李海燕;邹昭伟;刘登华;385-388+393
一种新型IGBT结温计算模型李玲玲;齐福东;孙进;389-393产品可靠性
基于电路模块自相似性的硬件木马检测方法袁诗琪;高良俊;张浩宇;易茂祥;394-398+403半导体器件与工艺
氟等离子体离子注入Au/Ni/n-GaN二极管特性研究羊群思;田葵葵;吴静;陈雷雷;刘楚乔;金宁;赵琳娜;闫大为;顾晓峰;399-403
势垒材料对GaN基异质结电学特性的影响研究任舰;苏丽娜;李文佳;404-407+412
一种用于5 V电源ESD防护的双MOS触发SCR陈瑞博;陈磊;李浩亮;刘志伟;邹望辉;许海龙;408-412
28 nm PMOS器件中Ge注入对NBTI可靠性的影响万雨石;龙世兵;蔡巧明;杨列勇;413-417
Hf0.5Zr0.5O2基铁电电容器的特性研究王健健;白华;许高博;李梅;毕津顺;418-421+426
一种屏蔽HVI影响的新型双沟槽SOI-LIGBT周峰;杨立杰;422-426
高热预算三维存储工艺中表面沟道PMOS研究汪宗武;李雪;田武;许文山;孙超;董洁琼;江宁;夏志良;霍宗亮;427-430+446
22 nm FDSOI器件的制备与背偏效应研究李亦琨;孙亚宾;李小进;石艳玲;王玉恒;王昌锋;廖端泉;田明;431-435
一种提高SOA能力的厚膜SOI-LDMOS结构周峰;436-440测试与封装
一种新颖的ADC非线性误差测试方法彭伟;张俊;程杰;刘若琛;441-446
欢迎订阅2019年《微电子学》杂志447